| 型号： | CSD25303W1015 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Texas Instruments | 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| CSD25303W1015 PDF |  |
| 产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
| 视频文件 | PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | NexFET™ |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 58 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 供应商设备封装 | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | 296-28317-6 |